SIHP14N50D-GE3 与 STP12NM50FD 区别
| 型号 | SIHP14N50D-GE3 | STP12NM50FD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHP14N50D-GE3 | A3t-STP12NM50FD |
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 160W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 400 mOhms @ 7A,10V | 400 毫欧 @ 6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 5V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 14A(Tc) | 12A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1000pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHP14N50D-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
14A(Tc) N-Channel 400 mOhms @ 7A,10V 208W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 500V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FQP13N50C(TO-220) | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FQP13N50 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
170W(Tc) 430m Ohms@6.25A,10V -55°C~150°C(TJ) 12.5A N-Channel 500V 12.5A(Tc) ±30V 430 毫欧 @ 6.25A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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STP12NM50FD | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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