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SIHLZ34S-GE3  与  MTB30P06V  区别

型号 SIHLZ34S-GE3 MTB30P06V
唯样编号 A3t-SIHLZ34S-GE3 A3t-MTB30P06V
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263AB -
连续漏极电流Id 30A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 50 mOhms @ 18A,5V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),88W(Tc) -
Vgs(最大值) ±10V -
Vgs(th) 2V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHLZ34S-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 18A,5V 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V

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