SIHLZ34S-GE3 与 HUF76419S3ST 区别
| 型号 | SIHLZ34S-GE3 | HUF76419S3ST |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHLZ34S-GE3 | A3t-HUF76419S3ST |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 75W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50 mOhms @ 18A,5V | 35 毫欧 @ 29A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),88W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 2V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 30A(Tc) | 29A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 900pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 28nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHLZ34S-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
30A(Tc) N-Channel 50 mOhms @ 18A,5V 3.7W(Ta),88W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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MTB30P06VT4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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MTB30P06V | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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HUF76419S3ST | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRFZ34NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@16A,10V N-Channel 55V 29A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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