SIHLR120TR-GE3 与 FQD19N10LTM 区别
| 型号 | SIHLR120TR-GE3 | FQD19N10LTM | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHLR120TR-GE3 | A36-FQD19N10LTM | ||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 | N-Channel 100 V 0.1 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率 | 42W | - | ||||||
| 宽度 | 6.22mm | - | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380 m0hms | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 490 pF@ 25 V | - | ||||||
| 晶体管材料 | Si | - | ||||||
| 晶体管配置 | 单 | - | ||||||
| 引脚数目 | 3 | - | ||||||
| 最小栅阈值电压 | 1V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | -10 V、+10 V | - | ||||||
| FET类型 | 增强 | - | ||||||
| 封装/外壳 | 6.73*6.22*2.38mm | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7.7 A | - | ||||||
| 长度 | 6.73mm | - | ||||||
| 最低工作温度 | -55 °C | - | ||||||
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - | ||||||
| 最高工作温度 | +150 °C | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | 9.8 ns | - | ||||||
| 高度 | 2.38mm | - | ||||||
| 类别 | 功率 MOSFET | - | ||||||
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,221 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHLR120TR-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FQD19N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
￥3.916
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2,221 | 对比 | |||||||||
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IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||
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FQD19N10LTF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLR120NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRLR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 185mΩ@6A,10V N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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