SIHLR120-GE3 与 IRLR120NPBF 区别
| 型号 | SIHLR120-GE3 | IRLR120NPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHLR120-GE3 | A-IRLR120NPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 270 mOhms @ 4.6A,5V | 185mΩ@6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W,42W | 48W(Tc) |
| Vgs(th) | 2V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 7.7A(Tc) | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 440pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 20nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHLR120-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,5V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
￥2.09
|
10,481 | 对比 | ||||||||||
|
|
FQD13N10LTM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
|
IRFR120NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
|
IRLR120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
185mΩ@6A,10V ±16V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 10A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IRFR120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
210mΩ@5.6A,10V ±20V 48W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 100V 9.4A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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