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SIHLL110TR-GE3  与  IRFM120ATF  区别

型号 SIHLL110TR-GE3 IRFM120ATF
唯样编号 A3t-SIHLL110TR-GE3 A3t-IRFM120ATF
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.4W
宽度 - 3.7mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 540 mOhms @ 900mA,5V 200 m0hms
引脚数目 - 3+Tab
最小栅阈值电压 - 2V
Vgs(th) 2V @ 250uA -
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
封装/外壳 SOT-223 6.7*3.7*1.7mm
连续漏极电流Id 1.5A(Tc) 2.3 A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
长度 - 6.7mm
Vgs(最大值) ±10V -
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
高度 - 1.7mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 36 ns
漏源极电压Vds 100V 370 pF @ 25 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta),3.1W(Tc) 2.4W(Ta)
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel 增强
系列 - IRFM
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 14 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHLL110TR-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

1.5A(Tc) N-Channel 540 mOhms @ 900mA,5V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 100V

暂无价格 0 当前型号
STN2NF10 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 4,000 对比
FQT7N10LTF ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 4,000 对比
STN2NF10 STMicro  数据手册 MOSFET

SOT-223-4

¥1.925 

阶梯数 价格
30: ¥1.925
100: ¥1.54
1,000: ¥1.375
2,000: ¥1.309
2,316 对比
FQT7N10LTF ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 1 对比
IRFM120ATF ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V

暂无价格 0 对比

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