SIHLL110TR-GE3 与 STN2NF10 区别
| 型号 | SIHLL110TR-GE3 | STN2NF10 | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHLL110TR-GE3 | A36-STN2NF10 | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | MOSFET | ||||||||||
| 描述 | N-Channel 100 V 0.26 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet -SOT-223 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223-4 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | 1.5A(Tc) | - | ||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 540 mOhms @ 900mA,5V | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | 100V | - | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),3.1W(Tc) | - | ||||||||||
| Vgs(最大值) | ±10V | - | ||||||||||
| Vgs(th) | 2V @ 250uA | - | ||||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 8,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIHLL110TR-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.5A(Tc) N-Channel 540 mOhms @ 900mA,5V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 100V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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STN2NF10 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
￥2.233
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8,000 | 对比 | ||||||||||||
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STN2NF10 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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FQT7N10LTF | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRFM120ATF | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 2.4W(Ta) 200mΩ@1.15A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A 2.3 A 100 V 200 m0hms -20 V、+20 V 增强 6.7*3.7*1.7mm 370 pF @ 25 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
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FQT7N10LTF | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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