SIHG47N65E-GE3 与 IPW65R080CFD 区别
| 型号 | SIHG47N65E-GE3 | IPW65R080CFD |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHG47N65E-GE3 | A-IPW65R080CFD |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 47A | 43.3A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 72mΩ | 80mΩ@17.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 700V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 391W |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHG47N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IPW65R065C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 33A 65mΩ 10V 171W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SPW47N65C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 47A 70mΩ 10V 415W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SPW47N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 650V 47A(Tc) ±20V 415W(Tc) 70mΩ@30A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPW65R080CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 391W 80mΩ@17.6A,10V -55°C~150°C ±20V 700V 43.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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