SIHG47N60E-GE3 与 STW48NM60N 区别
| 型号 | SIHG47N60E-GE3 | STW48NM60N | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHG47N60E-GE3 | A36-STW48NM60N | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 600 V 357 W 0.064 O 220 nC Flange Mount Power Mosfet-TO-247AC | MOSFET N-CH 600V 44A TO247 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 64mΩ | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 357W(Tc) | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 47A | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 9620pF @ 100V | - | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 220nC @ 10V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,100 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHG47N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 357W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 N-Channel 600V 47A 64mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
STW48NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 6,000 | 对比 | ||||||||
|
|
STW48NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥13.035
|
2,100 | 对比 | ||||||||
|
SPW47N60CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 46A 83mΩ 20V 417W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 240 | 对比 | ||||||||
|
TK40J60U | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
STW48NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
