SIHG33N60E-GE3 与 STW34NM60N 区别
| 型号 | SIHG33N60E-GE3 | STW34NM60N | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHG33N60E-GE3 | A36-STW34NM60N | ||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 5.31mm | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 98mΩ | - | ||
| 上升时间 | 43ns | - | ||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 278W | - | ||
| Qg-栅极电荷 | 103nC | - | ||
| 栅极电压Vgs | 4V | - | ||
| 典型关闭延迟时间 | 161ns | - | ||
| 封装/外壳 | TO-247-3 | TO-247-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 33A | - | ||
| 系列 | E | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 配置 | Single | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3508pF @ 100V | - | ||
| 长度 | 15.87mm | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 150nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 下降时间 | 48ns | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 28ns | - | ||
| 高度 | 20.82mm | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 4 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STW40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
暂无价格 | 1,770 | 对比 | ||||||
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STW45NM60 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-247 |
暂无价格 | 30 | 对比 | ||||||
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|
STW45NM60 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
TO-247 |
￥33.561
|
20 | 对比 | ||||||
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|
STW34NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 |
￥22.55
|
4 | 对比 | ||||||
|
FCH35N60 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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