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SIHG24N65E-GE3  与  STW30N65M5  区别

型号 SIHG24N65E-GE3 STW30N65M5
唯样编号 A3t-SIHG24N65E-GE3 A3-STW30N65M5
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 E-Series N-Channel 650 V 0.145 O 122 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
连续漏极电流Id 24A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 145 mOhms @ 12A,10V -
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 250W -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHG24N65E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

24A(Tc) N-Channel 145 mOhms @ 12A,10V 250W TO-247-3 -55°C~150°C 650V

暂无价格 0 当前型号
IPW65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel

暂无价格 240 对比
IPW65R150CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

650V 22.4A 135mΩ 20V 195.3W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STW30N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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