首页 > 商品目录 > > > > SIHFZ48S-GE3代替型号比较

SIHFZ48S-GE3  与  NTB45N06T4  区别

型号 SIHFZ48S-GE3 NTB45N06T4
唯样编号 A3t-SIHFZ48S-GE3 A3t-NTB45N06T4
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263AB -
连续漏极电流Id 50A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 18 mOhms @ 43A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),190W(Tc) -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFZ48S-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

50A(Tc) N-Channel 18 mOhms @ 43A,10V 3.7W(Ta),190W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V

暂无价格 0 当前型号
NTB45N06T4G ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRFS3806TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK

暂无价格 0 对比
NTB45N06T4 ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRLZ44NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@25A,10V N-Channel 55V 47A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1010NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售