SIHFZ48S-GE3 与 IRLZ44NSTRLPBF 区别
| 型号 | SIHFZ48S-GE3 | IRLZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFZ48S-GE3 | A-IRLZ44NSTRLPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18 mOhms @ 43A,10V | 22mΩ@25A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.7W(Ta),190W(Tc) | 3.8W(Ta),110W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) | 47A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1700pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 48nC @ 5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHFZ48S-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
50A(Tc) N-Channel 18 mOhms @ 43A,10V 3.7W(Ta),190W(Tc) TO-263AB -55°C~175°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
NTB45N06T4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRFS3806TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 71W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 15.8mΩ@25A,10V N-Channel 60V 43A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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NTB45N06T4 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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|
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.8W(Ta),110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 22mΩ@25A,10V N-Channel 55V 47A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF1010NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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