SIHFUC20-GE3 与 FQU2N60CTU 区别
| 型号 | SIHFUC20-GE3 | FQU2N60CTU |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFUC20-GE3 | A-FQU2N60CTU |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 600 V 4.7 Ohm Through Hole Power Mosfet - IPAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 4.7Ω@950mA,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),44W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | IPAK |
| 连续漏极电流Id | - | 1.9A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 235pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIHFUC20-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STD3NK60Z-1 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
IPAK |
￥2.189
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699 | 对比 | ||||||
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STD3NK60Z-1 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
IPAK |
暂无价格 | 75 | 对比 | ||||||
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2SK2865(TE16L1,NQ) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FQU2N60CTU | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.9A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),44W(Tc) 4.7Ω@950mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK N-Channel 600V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
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STD3NK60Z-1 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
IPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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