SIHFU9220-GE3 与 FQU5P20TU 区别
| 型号 | SIHFU9220-GE3 | FQU5P20TU |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFU9220-GE3 | A3t-FQU5P20TU |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | 200V, 3.6A, 1.5OHM, P-CH, IPAK | P-Channel 200 V 1.4 Ohm Through Hole Mosfet - I-PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.5W(Ta),45W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.5 Ohms @ 2.2A,10V | 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W,42W | 2.5W(Ta),45W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-251AA | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 连续漏极电流Id | 3.6A(Tc) | 3.7A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 430pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 430pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFU9220-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
3.6A(Tc) P-Channel 1.5 Ohms @ 2.2A,10V 2.5W,42W TO-251AA -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FQU5P20TU | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
2.5W(Ta),45W(Tc) 1.4 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-251-3 ,IPak,TO-251AA IPAK 3.7A P-Channel 200V 3.7A(Tc) ±30V 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) I-PAK TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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