SIHFRC20-GE3 与 R6004CNDTL 区别
| 型号 | SIHFRC20-GE3 | R6004CNDTL | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFRC20-GE3 | A33-R6004CNDTL | ||||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 未分类 | 未分类 | ||||||||||
| 描述 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率 | - | 40W(Tc) | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.8 欧姆 @ 2A,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||
| 封装/外壳 | - | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A(Ta) | ||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 1mA | ||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 280pF @ 25V | ||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 10V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 0 | 2,434 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHFRC20-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
STD2LN60K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 12,500 | 对比 | ||||||||||||
|
FQD5N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.938
|
2,485 | 对比 | ||||||||||||
|
|
R6004CNDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥3.5264
|
2,434 | 对比 | |||||||||||||
|
STD3NK60Z-1 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
IPAK |
￥2.189
|
699 | 对比 | ||||||||||||
|
|
STD3NK60Z-1 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
IPAK |
暂无价格 | 75 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
