SIHFRC20-GE3 与 R6004CNDTL 区别
| 型号 | SIHFRC20-GE3 | R6004CNDTL | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHFRC20-GE3 | A33-R6004CNDTL | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 未分类 | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率 | - | 40W(Tc) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.8 欧姆 @ 2A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±25V | ||||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | - | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A(Ta) | ||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 1mA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 280pF @ 25V | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,434 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SIHFRC20-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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STD2LN60K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 12,500 | 对比 | ||||||||||
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STD2LN60K3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
￥2.893
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5,000 | 对比 | ||||||||||
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FQD5N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.102
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2,484 | 对比 | ||||||||||
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R6004CNDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 未分类 |
￥3.5264
|
2,434 | 对比 | |||||||||||
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|
FQD2N60CTM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.036
|
984 | 对比 |
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