SIHFR9310-GE3 与 FQD2P40TM 区别
| 型号 | SIHFR9310-GE3 | FQD2P40TM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFR9310-GE3 | A3t-FQD2P40TM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | -400V 1.56A 6.5 Ohm P-ch D-Pak Mosfet | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.5W(Ta),38W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7 Ohms @ 1.1A,10V | 6.5 欧姆 @ 780mA,10V |
| 漏源极电压Vds | 400V | 400V |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | 2.5W(Ta),38W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 连续漏极电流Id | 1.8A(Tc) | 1.56A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFR9310-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) P-Channel 7 Ohms @ 1.1A,10V 50W TO-252 -55°C~150°C 400V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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FQD2P40TF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FQD2P40TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
2.5W(Ta),38W(Tc) 6.5 Ohms@780mA,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK 1.56A P-Channel 400V 1.56A(Tc) ±30V 6.5 欧姆 @ 780mA,10V -55°C~150°C(TJ) D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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