SIHFR9220-GE3 与 FQD5P20TM 区别
| 型号 | SIHFR9220-GE3 | FQD5P20TM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFR9220-GE3 | A3t-FQD5P20TM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 200 V 1.4 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.5W(Ta),45W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta),45W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 连续漏极电流Id | - | 3.7A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 430pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 430pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 13nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFR9220-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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FQD5P20TM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
3.7A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),45W(Tc) 1.4 Ohms@1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK P-Channel 200V 3.7A 1.4 欧姆 @ 1.85A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
