SIHFR224-GE3 与 FQD4N25TF 区别
| 型号 | SIHFR224-GE3 | FQD4N25TF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFR224-GE3 | A3t-FQD4N25TF |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 2.5W(Ta),37W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 1.75 欧姆 @ 1.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 250V |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 连续漏极电流Id | - | 3A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 200pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHFR224-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
FQD4N25TM_WS | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
3A(Tc) ±30V 2.5W(Ta),37W(Tc) 1.75 Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 250V 3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
|
FQD4N25TF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
