SIHFR220-GE3 与 FDD7N20TM 区别
| 型号 | SIHFR220-GE3 | FDD7N20TM | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHFR220-GE3 | A36-FDD7N20TM | ||||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 2.5W,42W | - | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.8A(Tc) | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 200V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 800 mOhms @ 2.9A,10V | - | ||||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,571 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SIHFR220-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.8A(Tc) N-Channel 800 mOhms @ 2.9A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDD7N20TM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.816
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2,571 | 对比 | ||||||||||
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MTD6N20ET4G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRFR220NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STD5N20T4 | STMicro | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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IRFR220NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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