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SIHFR024-GE3  与  FQD13N06LTF  区别

型号 SIHFR024-GE3 FQD13N06LTF
唯样编号 A3t-SIHFR024-GE3 A3t-FQD13N06LTF
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.5W(Ta),28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 115 毫欧 @ 5.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id - 11A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.4nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFR024-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 当前型号
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TO-252

¥2.651 

阶梯数 价格
20: ¥2.651
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2,500: ¥1.694
7,334 对比
NTD3055L104T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

DPAK

¥2.486 

阶梯数 价格
30: ¥2.486
100: ¥1.914
1,250: ¥1.661
2,500: ¥1.595
5,905 对比
NTD3055-094T4G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252

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