SIHFL9014TR-GE3 与 NDT2955 区别
| 型号 | SIHFL9014TR-GE3 | NDT2955 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFL9014TR-GE3 | A3t-NDT2955 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 500 mOhms @ 1.1A,10V | 300 毫欧 @ 2.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta),3.1W(Tc) | 3W(Ta) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223 | TO-261-4,TO-261AA |
| 连续漏极电流Id | 1.8A(Tc) | 2.5A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 601pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 601pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 15nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFL9014TR-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) P-Channel 500 mOhms @ 1.1A,10V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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NDT2955 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA |
￥1.793
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3,683 | 对比 | |||||||||||
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NDT2955 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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