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SIHFL9014-GE3  与  STN3PF06  区别

型号 SIHFL9014-GE3 STN3PF06
唯样编号 A3t-SIHFL9014-GE3 A36-STN3PF06
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220m Ohms@1.5A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 - TO-261-4,TO-261AA
连续漏极电流Id - 2.5A(Tc)
工作温度 - -65°C~150°C(TJ)
系列 - STripFET™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 850pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 21nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 0 2
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHFL9014-GE3 Vishay 未分类

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