SIHFL014-GE3 与 STN3NF06L 区别
| 型号 | SIHFL014-GE3 | STN3NF06L | ||||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHFL014-GE3 | A36-STN3NF06L | ||||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 未分类 | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@1.5A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.3W(Tc) | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±16V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | - | SOT-223 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4A | ||||||||
| 系列 | - | STripFET™ II | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 2.8V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 340pF @ 25V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 9nC @ 5V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 5V,10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,879 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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SIHFL014-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NDT3055L | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-261-4,TO-261AA |
¥3.146
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7,899 | 对比 | ||||||||||||
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NDT3055 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V 增强 250 pF @ 30 V SOT-223-4 |
¥2.145
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4,488 | 对比 | |||||||||||||
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STN3NF06 | STMicro | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
¥1.551
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2,879 | 对比 |