SIHFBE30S-GE3 与 FQB4N80TM 区别
| 型号 | SIHFBE30S-GE3 | FQB4N80TM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHFBE30S-GE3 | A3t-FQB4N80TM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 800 V 3.6 Ohm 25 nC Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 3.13W(Ta),130W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 3.6 欧姆 @ 1.95A,10V |
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.13W(Ta),130W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 4.1A | 3.9A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | QFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 880pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHFBE30S-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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FQB4N80TM | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
3.13W(Ta),130W(Tc) 3.6 Ohms@1.95A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK 3.9A N-Channel 800V 3.9A(Tc) ±30V 3.6 欧姆 @ 1.95A,10V -55°C~150°C(TJ) D²PAK(TO-263AB) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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