SIHF9Z34S-GE3 与 NTB5605PG 区别
| 型号 | SIHF9Z34S-GE3 | NTB5605PG |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF9Z34S-GE3 | A3t-NTB5605PG |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 88W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 140 毫欧 @ 8.5A,5V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 5V |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | - | 18.5A(Ta) |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1190pF |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 22nC |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHF9Z34S-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
|
|
NTB5605PG | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IRF9Z34NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100mΩ@10A,10V P-Channel 55V 19A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF9Z34NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100mΩ@10A,10V P-Channel 55V 19A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
