SIHF9540STRL-GE3 与 IRF9530NSTRLPBF 区别
| 型号 | SIHF9540STRL-GE3 | IRF9530NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF9540STRL-GE3 | A3t-IRF9530NSTRLPBF |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | Vishay Si P沟道 MOSFET SIHF9540STRL-GE3, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 150W | - |
| 宽度 | 9.65mm | - |
| 漏源极电压Vds | 1400 pF @ -25 V | - |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | - |
| FET类型 | 增强 | - |
| 封装/外壳 | 10.67*9.65*4.83mm | - |
| 连续漏极电流Id | 13 A | - |
| 长度 | 10.67mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +175 °C | - |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | - |
| 导通电阻Rds(On) | 200 m0hms | - |
| 高度 | 4.83mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 34 ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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SIHF9540STRL-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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IRF9530NSTRLPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF9530NST | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF9530NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.8W(Ta),79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 200mΩ@8.4A,10V P-Channel 100V 14A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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