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SIHF9540S-GE3  与  IRF9530NS  区别

型号 SIHF9540S-GE3 IRF9530NS
唯样编号 A3t-SIHF9540S-GE3 A3t-IRF9530NS
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263AB -
连续漏极电流Id 19A(Tc) -
工作温度 -55°C~175°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 200 mOhms @ 11A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 150W -
Vgs(最大值) ±20V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 P-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHF9540S-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

19A(Tc) P-Channel 200 mOhms @ 11A,10V 150W TO-263AB -55°C~175°C 100V

暂无价格 0 当前型号
IRF9530NS ON Semiconductor 未分类

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IRF9530NSPBF ON Semiconductor 未分类

暂无价格 0 对比
IRF9540NSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF9540NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF9530NSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 200mΩ@8.4A,10V P-Channel 100V 14A D2PAK

暂无价格 0 对比

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