SIHF7N60E-GE3 与 FQPF8N60CFT 区别
| 型号 | SIHF7N60E-GE3 | FQPF8N60CFT |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF7N60E-GE3 | A3t-FQPF8N60CFT |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | SIHF7N60E Series 600 V 7 A Flange Mount Power Mosfet - TO-220 FULLPAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 48W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600 mOhms @ 3.5A,10V | 1.5 欧姆 @ 3.13A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 整包 |
| 连续漏极电流Id | 7A(Tc) | 6.26A(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1255pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHF7N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
7A(Tc) N-Channel 600 mOhms @ 3.5A,10V 31W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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STF10N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
￥3.74
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47 | 对比 | ||||
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TK10A60D | Toshiba | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STF10N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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TK10A60D | Toshiba | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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FQPF8N60CFT | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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