SIHF640S-GE3 与 IRFW640BTMFP001 区别
| 型号 | SIHF640S-GE3 | IRFW640BTMFP001 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF640S-GE3 | A3t-IRFW640BTMFP001 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-263AB | - |
| 连续漏极电流Id | 18A(Tc) | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 mOhms @ 11A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 200V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta),130W(Tc) | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHF640S-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRFW640BTMFP001 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
IRF640S-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
IRF640S | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
FDB2670 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
|
IRF640SPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
