SIHF640S-GE3 与 FDB2670 区别
| 型号 | SIHF640S-GE3 | FDB2670 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF640S-GE3 | A3t-FDB2670 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 93W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 180 mOhms @ 11A,10V | 130 毫欧 @ 10A,10V |
| 漏源极电压Vds | 200V | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta),130W(Tc) | - |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 18A(Tc) | 19A(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~175°C(TJ) |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1320pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 38nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHF640S-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
18A(Tc) N-Channel 180 mOhms @ 11A,10V 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFW640BTMFP001 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF640S-ND | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF640S | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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FDB2670 | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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IRF640SPBF | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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