SIHF634S-GE3 与 FQB6N25TM 区别
| 型号 | SIHF634S-GE3 | FQB6N25TM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF634S-GE3 | A3t-FQB6N25TM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 未分类 |
| 描述 | Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 74 W | 3.13W(Ta),63W(Tc) |
| 宽度 | 9.65mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 450 m0hms | 1 欧姆 @ 2.75A,10V |
| 引脚数目 | 3 | - |
| 最小栅阈值电压 | 2V | - |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V | ±30V |
| 封装/外壳 | 10.67*9.65*4.83mm | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 8.1 A | 5.5A(Tc) |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 长度 | 10.67mm | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | - |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | - |
| 最高工作温度 | +150 °C | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 300pF @ 25V |
| 高度 | 4.83mm | - |
| 类别 | 功率 MOSFET | - |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | - |
| 漏源极电压Vds | 770 pF @ 25 V | 250V |
| 晶体管材料 | Si | - |
| 晶体管配置 | 单 | - |
| FET类型 | 增强 | N-Channel |
| 典型接通延迟时间 | 9.6 ns | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.5nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIHF634S-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||
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FQB6N25TM | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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