SIHF16N50C-E3 与 STF14NM50N 区别
| 型号 | SIHF16N50C-E3 | STF14NM50N | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHF16N50C-E3 | A36-STF14NM50N | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380mΩ@8A,10V | 320mΩ@6A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 500V | 500V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 38W | 25W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±30V | ±25V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220 | TO-220FP | ||||||
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) | 12A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | MDmesh™ II | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 100µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 816pF @ 50V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 27nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 25V | - | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 1,223 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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SIHF16N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 16,000 | 对比 | ||||||||
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
￥4.961
|
1,223 | 对比 | ||||||||
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2SK3934Q | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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R5016ANXFU7CF68 | ROHM Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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