SIHF16N50C-E3 与 IPA60R380C6 区别
| 型号 | SIHF16N50C-E3 | IPA60R380C6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF16N50C-E3 | A-IPA60R380C6 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 31 W | - | Pd - 功率消耗 |
| 宽度 | - | 4.85mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380mΩ@8A,10V | 340mΩ |
| 上升时间 | - | 10 ns |
| 公司名称 | - | CoolMOS |
| Qg-栅极电荷 | - | 32nC |
| 标准包装数量 | - | 500 |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 20V |
| 封装/外壳 | TO-220 | - |
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) | 10.6A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 32 nC | - | Qg - 闸极充电 |
| 配置 | - | Single |
| 标准断开延迟时间 | - | 110 ns |
| 长度 | - | 10.65mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | - | 9 ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 25V | - |
| 高度 | - | 16.15mm |
| 漏源极电压Vds | 500V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 38W | 31W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 110ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | IPA60R380 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 典型接通延迟时间 | - | 15ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 68nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHF16N50C-E3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 500V 16A(Tc) ±30V 38W 380mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 102,000 | 对比 |
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2SK3934Q | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
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STF14NM50N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 25W(Tc) 320mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 500V 12A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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R5016ANXFU7CF68 | ROHM Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
|
IPA60R380C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600V 10.6A 340mΩ 20V 31W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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