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SIHF12N60E-GE3  与  TK10A60D(STA4,Q,M)  区别

型号 SIHF12N60E-GE3 TK10A60D(STA4,Q,M)
唯样编号 A3t-SIHF12N60E-GE3 A3t-TK10A60D(STA4,Q,M)
制造商 Vishay Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 E Series N-Channel 600 V 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 12A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 380 mOhms @ 6A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 33W(Tc) -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIHF12N60E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) N-Channel 380 mOhms @ 6A,10V 33W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V

暂无价格 0 当前型号
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba 未分类

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
464 对比
TK10A60D(STA4,Q,M) Toshiba 未分类

暂无价格 0 对比
FCPF7N60_NL ON Semiconductor 未分类

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