SIHF12N60E-GE3 与 TK10A60D(STA4,Q,M) 区别
| 型号 | SIHF12N60E-GE3 | TK10A60D(STA4,Q,M) | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHF12N60E-GE3 | A36-TK10A60D(STA4,Q,M) | ||||
| 制造商 | Vishay | Toshiba | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||||
| 描述 | E Series N-Channel 600 V 0.38 O 58 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 380 mOhms @ 6A,10V | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 33W(Tc) | - | ||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 464 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
|
||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHF12N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Tc) N-Channel 380 mOhms @ 6A,10V 33W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | 未分类 |
¥3.036
|
464 | 对比 | ||||||||
|
TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
FCPF7N60_NL | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |