SIHD6N62E-GE3 与 NDD04N60ZT4G 区别
| 型号 | SIHD6N62E-GE3 | NDD04N60ZT4G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHD6N62E-GE3 | A3t-NDD04N60ZT4G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | E Series N Channel 620 V 900 mO 34 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK | N-Channel 600 V 1.8 Ohm 83 W Surface Mount Power MOSFET - TO-252-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900 mOhms @ 3A,10V | 2Ω@2A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 78W(Tc) | 83W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | 4.1A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 29nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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SIHD6N62E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Tc) N-Channel 900 mOhms @ 3A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 10,490 | 对比 | |||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 |
￥3.7659
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47 | 对比 | |||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||
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NDD04N60ZT4G | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±30V 83W(Tc) 2Ω@2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 4.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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