SIHD6N62E-GE3 与 STD6N62K3 区别
| 型号 | SIHD6N62E-GE3 | STD6N62K3 | ||||||
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| 唯样编号 | A3t-SIHD6N62E-GE3 | A36-STD6N62K3 | ||||||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | E Series N Channel 620 V 900 mO 34 nC Surface Mount Power Mosfet - DPAK | N-Channel 620 V 1.2 Ohm Surface Mount SuperMESH3™ Power MosFet - TO-252-3 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | ||||||
| 功率耗散Pd | 78W(Tc) | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 900 mOhms @ 3A,10V | - | ||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,495 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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SIHD6N62E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Tc) N-Channel 900 mOhms @ 3A,10V 78W(Tc) TO-252 -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 10,490 | 对比 | |||||||||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 |
￥0.7944
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9,337 | 对比 | |||||||||||
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STD6N62K3 | STMicro | 功率MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥6.156
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2,495 | 对比 | |||||||||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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TLP185(GR-TPL,SE(T | Toshiba | 数据手册 | 晶体管输出光耦 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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