SIHB33N60E-GE3 与 FCB36N60NTM 区别
| 型号 | SIHB33N60E-GE3 | FCB36N60NTM |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIHB33N60E-GE3 | A3t-FCB36N60NTM |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | E Series N Channel 650 V 278 W 0.099 O 150 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK | N-Channel 600 V 90 mOhm Surface Mount SupreMOS Mosfet - D2PAK-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | - | 312W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 99 mOhms @ 16.5A,10V | 90 毫欧 @ 18A,10V |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 278W(Tc) | 312W(Tc) |
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
| 连续漏极电流Id | 33A(Tc) | 36A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | SupreMOS™ |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 100V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4785pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 112nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 4785pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 112nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHB33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
33A(Tc) N-Channel 99 mOhms @ 16.5A,10V 278W(Tc) TO-263AB -55°C~150°C 600V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263(D2PAK) |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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FCB36N60NTM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
36A(Tc) ±30V 312W(Tc) 90m Ohms@18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 36A 90 毫欧 @ 18A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
|
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STB40N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263(D2PAK) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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