SIA922EDJ-T1-GE3 与 US6K2TR 区别
| 型号 | SIA922EDJ-T1-GE3 | US6K2TR | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIA922EDJ-T1-GE3 | A33-US6K2TR | ||
| 制造商 | Vishay | ROHM Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 64 mOhms @ 3A,4.5V | 240mΩ@1.4A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 7.8W | 1W | ||
| Vgs(th) | 1.4V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 | TUMT | ||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 1.4A | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C(TJ) | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 1mA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 70pF @ 10V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2nC @ 5V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 94 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 64 mOhms @ 3A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
FDG6303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-323 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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FDMA2002NZ | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
VDFN-6(2x2) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
￥2.7885
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94 | 对比 | ||||||||||
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US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
￥5.2287
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20 | 对比 |
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