SIA922EDJ-T1-GE3 与 FDG6303N 区别
| 型号 | SIA922EDJ-T1-GE3 | FDG6303N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIA922EDJ-T1-GE3 | A3-FDG6303N |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 不符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 | SOT-323 |
| 连续漏极电流Id | 4.5A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 64 mOhms @ 3A,4.5V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 7.8W | - |
| Vgs(th) | 1.4V @ 250uA | - |
| FET类型 | 2N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 7,500 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIA922EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.5A 2N-Channel 64 mOhms @ 3A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
FDG6303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-323 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
|
FDMA2002NZ | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
VDFN-6(2x2) |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
|
US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
|
|
US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
￥2.7885
|
94 | 对比 | ||||||||||
|
|
US6K2TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
240mΩ@1.4A,10V 1W 150°C(TJ) TUMT N-Channel 30V 1.4A 20V |
￥5.2287
|
20 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
