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SIA907EDJT-T1-GE3  与  FDMA6023PZT  区别

型号 SIA907EDJT-T1-GE3 FDMA6023PZT
唯样编号 A3t-SIA907EDJT-T1-GE3 A3t-FDMA6023PZT
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 SiA907EDJT Series Dual P Channel 20 V 0.057 Ohm 7.8 W Mosfet - PowerPAK SC-70-6L Dual P-Channel 20 V 0.06 O 12 nC PowerTrench Mosfet - MicroFET-6EP 2x2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 7/10W
Rds On(Max)@Id,Vgs 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 7.8W 700mW
Vgs(th) 1.4V @ 250uA -
FET类型 2P-Channel 逻辑电平门
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双 6-MicroFET(2x2)
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) 3.6A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 885pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 885pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) 2P-Channel 57 mOhms @ 3.6A,4.5V 7.8W PowerPAK® SC-70-6 双 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
FDMA6023PZT ON Semiconductor 通用MOSFET

2P-Channel 60m Ohms@3.6A,4.5V 700mW -55°C~150°C(TJ) MicroFET P-Channel 2 个 P 沟道(双) 逻辑电平门 20V 3.6A 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-UDFN 裸露焊盘 6-MicroFET(2x2)

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