SIA906EDJ-T1-GE3 与 PMDPB30XN 区别
| 型号 | SIA906EDJ-T1-GE3 | PMDPB30XN |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIA906EDJ-T1-GE3 | A3t-PMDPB30XN |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Dual N Channel 20 V 0.046 O 3.5 nC Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L Dual | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SC-70-6 | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 4.5A | - |
| 系列 | TrenchFET® | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 46mΩ | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 10V | - |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 7.8W | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIA906EDJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 46m Ohms@3.9A,4.5V 7.8W -55°C~150°C(TJ) PowerPAK® SC-70-6 双 SC-70-6 N-Channel 20V 4.5A 46mΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMDPB30XN | Nexperia | 通用MOSFET |
N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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FDMA1028NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
68m Ohms@3.7A,4.5V 700mW -55°C~150°C(TJ) MLP N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 20V 3.7A 68 毫欧 @ 3.7A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-VDFN 裸露焊盘 6-MicroFET(2x2) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
