SIA5213DJ-T1-GE3 与 PMPB09R5VPX 区别
| 型号 | SIA5213DJ-T1-GE3 | PMPB09R5VPX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIA5213DJ-T1-GE3 | A-PMPB09R5VPX |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 未分类 | 通用MOSFET |
| 描述 | PMPB09R5VP/SOT1220-2/DFN2020M- | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | - | 1.9W(Ta),12.5W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2700 pF @ 6 V |
| FET类型 | - | P 通道 |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 46 nC @ 4.5 V |
| 封装/外壳 | - | SOT1220-2 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 900mV @ 250uA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 12 毫欧 @ 10.5A,4.5V |
| Vgs(最大值) | - | ±8V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.5V,4.5V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 10.5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 12 V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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SIA5213DJ-T1-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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PMPB19R0UPEX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道 |
￥0.3282
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24,000 | 对比 | ||||||
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PMPB19R0UPEX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PMPB09R5TPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PMPB09R5VPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT1220-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PMPB19R0UPEX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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