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SIA471DJ-T1-GE3  与  PMPB12R5EPX  区别

型号 SIA471DJ-T1-GE3 PMPB12R5EPX
唯样编号 A3t-SIA471DJ-T1-GE3 A-PMPB12R5EPX
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 PMPB12R5EP/SOT1220-2/DFN2020M-
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.5W(Ta),19.2W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 1.9W(Ta),12.5W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1392 pF @ 15 V
Vgs(th) 2.5V @ 250uA -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 44 nC @ 10 V
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 SOT1220-2
连续漏极电流Id 12.9A(Ta),30.3A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 15 毫欧 @ 8.8A,10V
Vgs(最大值) +16V,-20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 8.8A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30 V
导通电阻Rds(On) 14 mOhms @ 10A,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12.9A(Ta),30.3A(Tc) P-Channel 14 mOhms @ 10A,10V 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
PMPB14R7EPX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

DFN2020M-6 P-Channel 18mΩ@-8A,-10V 1.9W -55°C~150°C ±20V -30V -11.2A

暂无价格 10 对比
PMPB12R7EPX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

DFN2020M-6 -55°C~150°C -12.3A 15.5mΩ@-8.7A,-10V -30V 3.8W ±20V P-Channel

¥5.2674 

阶梯数 价格
530: ¥5.2674
1,000: ¥3.9018
1,500: ¥3.1982
3,000: ¥2.781
4 对比
PMPB12R5EPX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

SOT1220-2 -55°C~150°C(TJ) P 通道

暂无价格 0 对比
PMPB12R7EPX Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

DFN2020M-6 -55°C~150°C -12.3A 15.5mΩ@-8.7A,-10V -30V 3.8W ±20V P-Channel

暂无价格 0 对比
PMPB14R7EPX Nexperia  数据手册 通用MOSFET

DFN2020M-6 P-Channel 18mΩ@-8A,-10V 1.9W -55°C~150°C ±20V -30V -11.2A

暂无价格 0 对比

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