SIA437DJ-T1-GE3 与 PMPB11R2VPX 区别
| 型号 | SIA437DJ-T1-GE3 | PMPB11R2VPX |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIA437DJ-T1-GE3 | A3t-PMPB11R2VPX |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | PMPB11R2VP/SOT1220-2/DFN2020M- | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 3.5W(Ta),19W(Tc) | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 1.9W(Ta),12.5W(Tc) |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 20V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 2230 pF @ 6 V |
| Vgs(th) | 900mV @ 250uA | - |
| FET类型 | P-Channel | P 通道 |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 39 nC @ 4.5 V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 | SOT1220-2 |
| 连续漏极电流Id | 29.7A(Tc) | - |
| 工作温度 | -50°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 900mV @ 250uA |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 14 毫欧 @ 9.7A,4.5V |
| Vgs(最大值) | ±8V | ±8V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 9.7A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 12 V |
| 导通电阻Rds(On) | 14.5 mOhms @ 8A,4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIA437DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
29.7A(Tc) P-Channel 14.5 mOhms @ 8A,4.5V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -50°C~150°C 20V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMPB10UPX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |
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SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMPB11R2VPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT1220-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SSM6J501NU | Toshiba | 数据手册 | 功率MOSFET |
UDFN6B |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMPB11R2VPX | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) P 通道 SOT1220-2 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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