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SIA429DJT-T1-GE3  与  PMPB20XPEZ  区别

型号 SIA429DJT-T1-GE3 PMPB20XPEZ
唯样编号 A3t-SIA429DJT-T1-GE3 A3n-PMPB20XPEZ
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 SiA429DJT Series P-Channel 20 V 0.0205 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 3.5W(Ta),19W(Tc) 1.7W
漏源极电压Vds 20V -20V
Vgs(th) 1V @ 250uA -
输出电容 - 245pF
栅极电压Vgs - -0.68V,12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 SOT1220
连续漏极电流Id 12A(Tc) -10.3A
工作温度 -55°C~150°C 150°C
输入电容 - 2945pF
Vgs(最大值) ±8V -
导通电阻Rds(On) 20.5 mOhms @ 6A,4.5V 23.5mΩ@4.5V,29mΩ@2.5V
库存与单价
库存 0 12,000
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
3,000+ :  ¥1.0422
6,000+ :  ¥1.0005
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

12A(Tc) P-Channel 20.5 mOhms @ 6A,4.5V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 20V

暂无价格 0 当前型号
PMPB20XPEZ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 P-Channel 23.5mΩ@4.5V,29mΩ@2.5V 1.7W 150°C -0.68V,12V -20V -10.3A

¥1.0422 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.0422
6,000: ¥1.0005
12,000 对比
PMPB20XPEZ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 P-Channel 23.5mΩ@4.5V,29mΩ@2.5V 1.7W 150°C -0.68V,12V -20V -10.3A

¥4.2695 

阶梯数 价格
530: ¥4.2695
1,000: ¥3.1626
1,500: ¥2.5923
3,000: ¥2.2542
3,000 对比
PMPB20XPEZ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT1220 P-Channel 23.5mΩ@4.5V,29mΩ@2.5V 1.7W 150°C -0.68V,12V -20V -10.3A

暂无价格 0 对比

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