SIA421DJ-T1-GE3 与 PMPB48EP,115 区别
| 型号 | SIA421DJ-T1-GE3 | PMPB48EP,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3t-SIA421DJ-T1-GE3 | A-PMPB48EP,115 |
| 制造商 | Vishay | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | SiA421DJ Series P-Channel 30 V 0.035 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35 mOhms @ 5.3A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.5W(Ta),19W(Tc) | 1.7W |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 输出电容 | - | 105pF |
| 栅极电压Vgs | - | 20V,-1.5V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 | SOT1220 |
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | -6.8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | 150°C |
| 输入电容 | - | 860pF |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 76mΩ@4.5V,50mΩ@10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIA421DJ-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
12A(Tc) P-Channel 35 mOhms @ 5.3A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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PMPB48EP,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 1.7W 150°C 20V,-1.5V -30V -6.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMPB48EP,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 1.7W 150°C 20V,-1.5V -30V -6.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PMPB48EP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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PMPB47XP | Nexperia | 通用MOSFET |
P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |