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SIA408DJ-T1-GE3  与  CSD17313Q2  区别

型号 SIA408DJ-T1-GE3 CSD17313Q2
唯样编号 A3t-SIA408DJ-T1-GE3 A36-CSD17313Q2
制造商 Vishay TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 未分类
描述 表面贴装型 N 通道 30 V 5A(Tc) 2.3W(Ta) 6-WSON(2x2)
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 6-WSON(2x2)
连续漏极电流Id 4.5A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 36 mOhms @ 5.3A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3.4W(Ta),17.9W(Tc) -
Vgs(最大值) ±12V -
Vgs(th) 1.6V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 2
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIA408DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Tc) N-Channel 36 mOhms @ 5.3A,10V 3.4W(Ta),17.9W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 30V

暂无价格 0 当前型号
CSD17313Q2 TI  数据手册 未分类

暂无价格 2 对比
FDFMA3N109 ON Semiconductor 通用MOSFET

1.5W(Ta) 123m Ohms@2.9A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MLP 2.9A N-Channel 30V 2.9A(Tc) ±12V 肖特基二极管(隔离式) 123 毫欧 @ 2.9A,4.5V -55°C~150°C(TJ) 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘

暂无价格 0 对比

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