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SIA110DJ-T1-GE3  与  PSMN047-100NSE  区别

型号 SIA110DJ-T1-GE3 PSMN047-100NSE
唯样编号 A3t-SIA110DJ-T1-GE3 A-PSMN047-100NSE
制造商 Vishay Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-channel 100 V, 49.7 mOhm standard level MOSFET in DFN2020 package, designed specifically for high power PoE applications
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 DFN2020
功率耗散Pd 3.5W(Ta),19W(Tc) -
连续漏极电流Id 5.4A(Ta),12A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C -
漏源极电压Vds 100V -
Vgs(最大值) ±20V -
导通电阻Rds(On) 55 mOhms @ 4A,10V -
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIA110DJ-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.4A(Ta),12A(Tc) N-Channel 55 mOhms @ 4A,10V 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 -55°C~150°C 100V

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PSMN047-100NSE Nexperia  数据手册 功率MOSFET

DFN2020

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